金融界2025年5月6日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN119922907A，申请日期为2024年9月。

　　专利摘要显示，本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：下结构；第一区，DG视讯·(中国区)官方网站包括在第一方向上垂直堆叠在下结构之上的多个第一导电层；第二区，DG视讯·(中国区)官方网站包括在第一方向上堆叠的多个第二导电层，DG视讯·(中国区)官方网站第二导电层具有相同的水平长度；以及分别耦接到第二导电层的多个接触结构，其中，每个第二导电层包括：第一水平导线；第二水平导线；以及第一水平导线和第二水平导线之间的焊盘。